
در یادداشتی اختصاصی برای جام جم آنلاین مطرح شد
به گزارش جام جم انلاین به نقل از دیجیاتو ،سامسونگ از تولید انبوه نسل جدید حافظههای ۱۶ گیگابیتی LPDDR5 برای موبایل خبر داده که برای اولین بار با استفاده از فناوری لیتوگرافی فرابنفش شدید تولید شدهاند. مهندسان سامسونگ با کنار هم قرار دادن ۸ چیپ ۱۶ گیگابیتی یک رم ۱۶ گیگابایتی را شکل خواهند داد که در موبایلهای پریمیوم سال آینده قرار خواهد گرفت.
این چیپها نسل سوم تراشههای ۱۶ گیگابیتی V-NAND بر پایه کلاس ۱۰ نانومتری (1z) به شمار میروند. به لطف استفاده از لیزر و مواد شیمیایی حساس به نور در لیتوگرافی فرابنفش شدید میتوان مدارها را در کوچکترین و باریکترین شکل ممکن توسعه داد. همین مزیت باعث شده چیپهای جدید ۳۰ درصد باریکتر از حافظه نسل قبل باشند.
نکته جالبت اینجاست مدلهای جدید علیرغم ضخامت کمتر به سرعت ۶.۴ گیگابیت در ثانیه دست پیدا کردهاند که حدود ۵۰ درصد از رم 12 گیگابایتی LPDRR4X و ۱۶ درصد از مدلهای LPDDR5 سریعتر است. همچنین نسبت به نسل قبل رمهای ۱۶ گیگابایتی با سرعت ۵.۵ گیگابیت در ثانیه نیز در رده بالاتر قرار میگیرند. سرعت انتقال ۶.۴ گیگابیت در ثانیه این چیپها بدین معنی است در رم ۱۶ گیگابایتی میتوان ۱۰ ویدیوی ۵ گیگابایتی HD را میتوان در تنها یک ثانیه منتقل کرد.
این دستاورد جدا از اینکه سامسونگ را در جایگاه برتری نسبت به رقبا قرار میدهد، مشکلات اساسی در توسعه رمهای موبایل قویتر را هم برطرف کرده و امکان توسعه موبایلهای کارآمدتر را به تولیدکنندگان میدهد؛ دستگاههایی که در اجرای همزمان اپها، بازیهای با گرافیک بالا و دیگر وظایف سنگین به مشکل نخواهند خورد. کمپانی کرهای همچنین قصد استفاده از حافظههای LPDDR5 در فناوریهای مربوط به ماشین را نیز دارد.
در یادداشتی اختصاصی برای جام جم آنلاین مطرح شد
در یادداشتی اختصاصی برای جام جم آنلاین مطرح شد
عضو دفتر حفظ و نشر آثار رهبر انقلاب در گفتگو با جام جم آنلاین مطرح کرد
در یادداشتی اختصاصی برای جام جم آنلاین مطرح شد
گفتوگوی عیدانه با نخستین مدالآور نقره زنان ایران در رقابتهای المپیک
رئیس سازمان اورژانس کشور از برنامههای امدادگران در تعطیلات عید میگوید
در گفتوگوی اختصاصی «جامجم» با دکتر محمدجواد ایروانی، عضو مجمع تشخیص مصلحت نظام بررسی شد